通过进一步将噻吩插入其分子结构中，中兴得到具有更高共轭和NIR发射的2TPE-2T-BI分子，中兴并将2TPE-2T-BI制成AIE量子点，通过生物正交点击化学进行体内代谢标记。
董事动第f,Fe3(THT)2(NH4)32DMOF薄膜带宽。这种新材料显示出约0.25eV的直接红外带隙，长赵并具有高达约220cm2V-1s-1的电荷载流子迁移率。
团队采用一种全光学、先明无接触的时间分辨太赫兹频谱(TRTS)技术，制备了一种新型π-d共轭半导体化二维MOFFe3(THT)2(NH4)3。从合成的角度来看，工业革命开发单晶并将其分层成单层不仅可以对结构-性能关系进行基础研究，工业革命还可以在需要长距离自由载流子运动时开发基于MOF的功能器件。中兴作者制备的Fe3(THT)2(NH4)3是类石墨烯结构的MOF子类的一部分。
董事动第投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。长赵解决半导体MOF中电荷传输的基本原理对于推进MOF设计以及这类材料在光电应用中得到应用是至关重要的。
先明这种二维半导体化MOF的室温迁移率达到220 cm2 V–1s–1。
工业革命图2.通过太赫兹谱测试的Fe3(THT)2(NH4)32DMOFs的室温光导性a,光导与泵浦探测迟滞的关系。(b)熔融硒在CNT表面被吸收，中兴表明液体硒浸润CNT。
(b)碳纳米管通道内的水分子数与时间关系，董事动第每根碳管每纳秒占据5个水分子。长赵(b)CNT通道限域制备Ag纳米线的TEM图像。
先明(b)CNT中水在电子束加热下的状态：初始亲水状态。工业革命图18三维纳米通道中水粘度与浸润性关系(a)使用AFM进行粘性力测量的实验装置的示意图。